在芯片制造上，台积电和三星一直都是互相追赶的对手，在经历了5nm，4nm，3nm之后，现在双方的竞争终于来到了2nm的技术上。

　　这一次的比赛，双方使用的技术并不一样，所以现在也相当于双方做了不同的选择，最后谁会率先冲过2nm技术的红线就要拭目以待了。

　　芯片制程演进带来最直接的变化之一就是晶体管结构改变。对2nm制程来说，目前的FinFET晶体管（鳍式场效应晶体管）结构已经不再适用，由于栅极氧化层过薄，会产生量子隧穿等效应，加剧晶体管漏电现象。

　　台积电（中国）总经理罗振球称，台积电将在2nm节点推出纳米片（Nanosheet，MBCFET）晶体管架构，并采用新的二维材料。

　　纳米片 FET 是 FinFET 的进化技术。在纳米片中，类似 FinFET 的鳍片横置分成单独的水平部分。

　　纳米片在沟道结构的四个侧面实现栅极，与 FinFET 相比，能够更好地控制电流和沟道。这样可以提供更好的有效沟道宽度，改善直流性能。

　　与台积电相比，三星电子在晶体管结构上更加激进，其在3nm制程上就选用了台积电用于2nm制程的MBCFET晶体管结构，还与IBM联合推出了一种新的垂直晶体管架构VTFET。

　　三星计划在未来三年内投资创纪录的 2050 亿美元，以寻求在芯片制造领域的领先地位。

　　台积电 (TSMC) 是全球最大的半导体制造商。TSMC计划在未来三年内巨额投资 1000 亿美元提高产能。