放大成为幅值较高的电信号。MOSFET和三极管都有ON状态凯发在线官网下载，那么在处于ON状态时，这两者有什么区别呢？

　　MOSFET和三极管凯发在线官网下载，在ON状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况凯发在线官网下载，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？

　　三极管ON状态时工作于饱和区凯发在线官网下载，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅由Vce来决定凯发在线官网下载，即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)凯发在线官网下载。由于饱和状态下Vce较小，所以三极管一般用饱和Vce表示凯发在线官网下载凯发在线官网下载。

　　MOS管在ON状态时工作于线性区(相当于三极管的饱和区)，与三极管相似，电流Ids由Vgs和Vds决定凯发在线官网下载凯发在线官网下载，但MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不变，因而Ids可仅受Vds影响，即在Vgs固定的情况下，导通阻抗Rds基本保持不变凯发在线官网下载，所以MOS管采用Rds方式。

　　电流可以双向流过MOSFET的D和S凯发在线官网下载，正是MOSFET这个突出的优点，让同步整流中没有DCM的概念凯发在线官网下载，能量可以从输入传递到输出凯发在线官网下载，也可以从输出返还给输入。能实现能量双向流动。

　　接下来我们往深入一点来进行讨论，第一点凯发在线官网下载、MOS的D和S既然可以互换凯发在线官网下载凯发在线官网下载，那为什么又定义DS呢？

　　对于IC内部的MOS管，制造时肯定是完全对称的凯发在线官网下载，定义D和S的目的是为了讨论电流流向和计算的时候方便凯发在线官网下载凯发在线官网下载。

　　对于功率MOS凯发在线官网下载，有时候会因为特殊的应用凯发在线官网下载，比如耐压或者别的目的凯发在线官网下载，在NMOS的D端做一个轻掺杂区耐压，此时D,S会有不同凯发在线官网下载凯发在线官网下载。

　　第三点凯发在线官网下载、D和S互换之后，MOS表现出来的特性凯发在线官网下载，跟原来有何不同呢？比如Vth凯发在线官网下载、弥勒效应凯发在线官网下载凯发在线官网下载、寄生电容凯发在线官网下载、导通电阻、击穿电压Vds。

　　DS互换后凯发在线官网下载凯发在线官网下载，当Vgs=0时凯发在线官网下载凯发在线官网下载，只要Vds>

　　0.7V管子也可以导通,而换之前不能凯发在线官网下载。当Vgs>

　　Vth时，反型层沟道已形成，互换后两者特性相同凯发在线官网下载。

　　我们只是说电流可以从D--to--S ，也可以从S----to---D。但是并不意味着：D和S 这两个端子的名字可以互换。

　　将原来是D的认为是S ，并且给G和这个S施加电压凯发在线官网下载，结果沟道并不变化，仍然是关闭的。

　　当Vgs没有到达Vth之前，通过驱动电阻R对Cgs充电凯发在线官网下载，这个阶段的模型就是简单的RC充电过程凯发在线官网下载凯发在线官网下载。

　　当Vgs充到Vth之后凯发在线官网下载，DS导电沟道开始开启凯发在线官网下载，Vd开始剧烈下降。按照I=C*dV/dt,寄生电容Cgd有电流流过 方向：G-->

　　D。按照G接点KCL Igd电流将分流IR，大部分驱动电流转向Igd，留下小部分继续流到Cgs凯发在线官网下载。因此，Vgs出现较平坦变化的一小段。这就是miler平台凯发在线官网下载凯发在线官网下载凯发在线官网下载。